在线客服 
FCP110N65F
图像仅供参考
请参阅产品规格
- 制造商编号：
- FCP110N65F
- 制造商：
- ON安森美
- 系列：
- FRFET®, SuperFET® II
- 描述：
- MOSFET N-CH 650V 35A TO220-3
- 详细描述：
- 通孔 N 通道 650 V 35A（Tc） 357W（Tc） TO-220-3
- 规格说明书：
- FCP110N65F说明书
- 在线客服：
- 咨询客服
- 服务：
- 为用户提供价格咨询，发货售后，在线客服。
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | ON(安森美) |
| 系列 | FRFET®, SuperFET® II |
| 包装 | 管件 |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 650 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 35A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 110 毫欧 @ 17.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 3.5mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 145 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 4895 pF @ 100 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 357W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-220-3 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 800 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| STP33N60DM2 | STMicroelectronics | ¥41.93000 | 类似 |
| STP34N65M5 | STMicroelectronics | ¥51.99000 | 类似 |
| STP40N65M2 | STMicroelectronics | ¥47.38000 | 类似 |
| STP30N65M5 | STMicroelectronics | ¥53.60000 | 类似 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 800 / PCS
- 包装
- 管件
单价：￥26.085866 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥43.442894 | ￥43.44 |
| 10+ | ￥39.025246 | ￥390.25 |
| 100+ | ￥31.974293 | ￥3197.43 |
| 500+ | ￥27.218701 | ￥13609.35 |
| 1000+ | ￥26.085866 | ￥26085.87 |
