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STGW15M120DF3

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制造商编号:
STGW15M120DF3
制造商:
ST意法半导体
系列:
-
描述:
IGBT 1200V 30A 259W
详细描述:
IGBT 沟槽型场截止 1200 V 30 A 259 W 通孔 TO-247
规格说明书:
STGW15M120DF3说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 ST(意法半导体)
系列 -
包装 管件
零件状态 在售
IGBT 类型 沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值) 1200 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 30 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm) 60 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) 2.3V @ 15V,15A
功率 - 最大值 259 W
开关能量 550µJ(开),850µJ(关)
输入类型 标准
栅极电荷 226 nC
25°C 时 Td(开/关)值 26ns/122ns
测试条件 600V,15A,22 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr) 270 ns
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-247-3
供应商器件封装 TO-247
标准包装 30

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
30 / PCS
包装
管件
单价:¥40.302025 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
600+ ¥40.302025 ¥24181.22

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