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STP80N6F6
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- 制造商编号：
- STP80N6F6
- 制造商：
- ST意法半导体
- 系列：
- Automotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VI
- 描述：
- MOSFET N-CH 60V 110A TO220
- 详细描述：
- 通孔 N 通道 60 V 110A（Tc） 120W（Tc） TO-220
- 规格说明书：
- STP80N6F6说明书
- 在线客服：
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- 服务：
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | ST(意法半导体) |
| 系列 | Automotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VI |
| 包装 | 管件 |
| 零件状态 | 停产 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 110A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 5.8 毫欧 @ 50A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 122 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 7480 pF @ 25 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 120W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-220 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 50 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| IXTP120N075T2 | IXYS | ¥30.33000 | 类似 |
| IRF3808PBF | Infineon Technologies | ¥24.42000 | 类似 |
| IPP060N06NAKSA1 | Infineon Technologies | ¥14.44000 | 类似 |
| IPP057N06N3GXKSA1 | Rochester Electronics, LLC | ¥14.21000 | 类似 |
| DMTH6010SCT | Diodes Incorporated | ¥13.21000 | 类似 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
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- 标准包装
- 50 / PCS
- 包装
- 管件
单价：￥14.571075 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥24.543867 | ￥24.54 |
| 10+ | ￥22.0671 | ￥220.67 |
| 100+ | ￥17.735493 | ￥1773.55 |
| 500+ | ￥14.571075 | ￥7285.54 |
