您好，欢迎来到壹方微芯！
搜索
    我的购物车

    PHD18NQ10T,118

    NXP photo

    图像仅供参考

    请参阅产品规格

    制造商编号：
    PHD18NQ10T,118
    制造商：
    NXP恩智浦
    系列：
    TrenchMOS™
    描述：
    MOSFET N-CH 100V 18A DPAK
    详细描述：
    表面贴装型 N 通道 100 V 18A（Tc） 79W（Tc） DPAK
    规格说明书：
    PHD18NQ10T,118说明书
    在线客服：
    咨询客服
    服务：
    为用户提供价格咨询，发货售后，在线客服。

    规格参数

    属性 属性值
    制造商 NXP(恩智浦)
    系列 TrenchMOS™
    包装 卷带（TR）
    零件状态 停产
    FET 类型 N 通道
    技术 MOSFET（金属氧化物）
    漏源电压（Vdss） 100 V
    25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 18A（Tc）
    驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
    不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 90 毫欧 @ 9A，10V
    不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4V @ 1mA
    不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 21 nC @ 10 V
    Vgs（最大值） ±20V
    不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 633 pF @ 25 V
    FET 功能 -
    功率耗散（最大值） 79W（Tc）
    工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
    安装类型 表面贴装型
    供应商器件封装 DPAK
    封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
    标准包装 2,500

    价格库存

    库存
    0
    货期
    咨询客服
    标准包装
    2,500 / PCS
    包装
    卷带（TR）
    单价：￥0 总价：￥0.00
    阶梯 单价(含税价) 总价
    暂无报价

    相关产品