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MBRTA60035L

GeneSiC photo

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制造商编号:
MBRTA60035L
制造商:
GeneSiC基因半导体公司
系列:
-
描述:
DIODE SCHOTTKY 35V 300A 3TOWER
详细描述:
二极管阵列 1 对共阴极 肖特基 35 V 300A 底座安装 三塔
规格说明书:
MBRTA60035L说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 GeneSiC(基因半导体公司)
系列 -
包装 散装
零件状态 停产
二极管配置 1 对共阴极
二极管类型 肖特基
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值) 35 V
电流 - 平均整流 (Io)(每二极管) 300A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf) 600 mV @ 300 A
速度 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 3 mA @ 35 V
工作温度 - 结 -55°C ~ 150°C
安装类型 底座安装
封装/外壳 三塔
供应商器件封装 三塔
标准包装 18

价格库存

库存
0
货期
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标准包装
18 / PCS
包装
散装
单价:¥0 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
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