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SCT2H12NYTB

Rohm Semiconductor photo

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请参阅产品规格

制造商编号:
SCT2H12NYTB
制造商:
Rohm Semiconductor罗姆
系列:
-
描述:
SICFET N-CH 1700V 4A TO268
详细描述:
表面贴装型 N 通道 1700 V 4A(Tc) 44W(Tc) TO-268
规格说明书:
SCT2H12NYTB说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Rohm Semiconductor(罗姆)
系列 -
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss) 1700 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 4A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 1.5 欧姆 @ 1.1A,18V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4V @ 410µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 14 nC @ 18 V
Vgs(最大值) +22V,-6V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 184 pF @ 800 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 44W(Tc)
工作温度 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 TO-268
封装/外壳 TO-268-3,D³Pak(2 引线 + 接片),TO-268AA
标准包装 400

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
400 / PCS
包装
卷带(TR)
总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥50.769364 ¥50.77
10+ ¥45.606938 ¥456.07
100+ ¥37.366207 ¥3736.62
400+ ¥35.449532 ¥14179.81
800+ ¥31.808751 ¥25447.00

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