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SSM6L36FE,LM

Toshiba photo

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请参阅产品规格

制造商编号:
SSM6L36FE,LM
制造商:
Toshiba东芝
系列:
-
描述:
MOSFET N/P-CH 20V 0.5A/0.33A ES6
详细描述:
MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 20V 500mA,330mA 150mW 表面贴装型 ES6
规格说明书:
SSM6L36FE,LM说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Toshiba(东芝)
系列 -
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 N 和 P 沟道
FET 功能 逻辑电平门
漏源电压(Vdss) 20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 500mA,330mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 630 毫欧 @ 200mA,5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 1.23nC @ 4V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 46pF @ 10V
功率 - 最大值 150mW
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 SOT-563,SOT-666
供应商器件封装 ES6
标准包装 4,000

价格库存

库存
0
货期
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标准包装
4,000 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥0.756272 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥4.488519 ¥4.49
10+ ¥3.360794 ¥33.61
100+ ¥1.903082 ¥190.31
500+ ¥1.260466 ¥630.23
1000+ ¥0.966349 ¥966.35
2000+ ¥0.84031 ¥1680.62
4000+ ¥0.84031 ¥3361.24
8000+ ¥0.756272 ¥6050.18

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