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BSZ028N04LSATMA1
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- 制造商编号：
- BSZ028N04LSATMA1
- 制造商：
- Infineon英飞凌
- 系列：
- OptiMOS™
- 描述：
- MOSFET N-CH 40V 21A/40A TSDSON
- 详细描述：
- 表面贴装型 N 通道 40 V 21A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），63W（Tc） PG-TSDSON-8-FL
- 规格说明书：
- BSZ028N04LSATMA1说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Infineon(英飞凌) |
| 系列 | OptiMOS™ |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 40 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 21A（Ta），40A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 2.8 毫欧 @ 20A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | - |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 32 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2300 pF @ 20 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 2.1W（Ta），63W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | PG-TSDSON-8-FL |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
| 标准包装 | 5,000 |
价格库存
- 库存
- 0
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- 标准包装
- 5,000 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
单价：￥8.676158 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥17.183194 | ￥17.18 |
| 10+ | ￥15.354216 | ￥153.54 |
| 100+ | ￥11.973404 | ￥1197.34 |
| 500+ | ￥9.890781 | ￥4945.39 |
| 1000+ | ￥8.676158 | ￥8676.16 |
| 5000+ | ￥8.676158 | ￥43380.79 |
