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IPDD60R190G7XTMA1

Infineon photo

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制造商编号:
IPDD60R190G7XTMA1
制造商:
Infineon英飞凌
系列:
CoolMOS™ G7
描述:
MOSFET N-CH 600V 13A HDSOP-10
详细描述:
表面贴装型 N 通道 600 V 13A(Tc) 76W(Tc) PG-HDSOP-10-1
规格说明书:
IPDD60R190G7XTMA1说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Infineon(英飞凌)
系列 CoolMOS™ G7
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 13A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 190 毫欧 @ 4.2A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4V @ 210µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 18 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 718 pF @ 400 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 76W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 PG-HDSOP-10-1
封装/外壳 10-PowerSOP 模块
标准包装 1,700

价格库存

库存
0
货期
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标准包装
1,700 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥22.602303 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥35.90815 ¥35.91
10+ ¥32.275061 ¥322.75
100+ ¥26.444836 ¥2644.48
500+ ¥22.602315 ¥11301.16
1700+ ¥22.602303 ¥38423.92

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