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SPB80N06S2-09
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- 制造商编号：
- SPB80N06S2-09
- 制造商：
- Infineon英飞凌
- 系列：
- OptiMOS™
- 描述：
- MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
- 详细描述：
- 表面贴装型 N 通道 55 V 80A（Tc） 190W（Tc） PG-TO263-3-2
- 规格说明书：
- SPB80N06S2-09说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Infineon(英飞凌) |
| 系列 | OptiMOS™ |
| 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 停产 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 55 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 80A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 9.1 毫欧 @ 50A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 125µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 80 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 3140 pF @ 25 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 190W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | PG-TO263-3-2 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 1,000 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| BUK9612-55B,118 | Nexperia USA Inc. | ¥13.29000 | 类似 |
| PSMN7R6-60BS,118 | Nexperia USA Inc. | ¥12.52000 | 类似 |
| BUK7610-55AL,118 | Nexperia USA Inc. | ¥23.27000 | 类似 |
| BUK9606-75B,118 | Nexperia USA Inc. | ¥24.73000 | 类似 |
| PSMN015-60BS,118 | Nexperia USA Inc. | ¥11.75000 | 类似 |
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- 标准包装
- 1,000 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
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