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IDK10G120C5XTMA1

Infineon photo

图像仅供参考

请参阅产品规格

制造商编号:
IDK10G120C5XTMA1
制造商:
Infineon英飞凌
系列:
CoolSiC™+
描述:
SIC DISCRETE
详细描述:
二极管 碳化硅肖特基 1200 V 31.9A(DC) 表面贴装型 PG-TO263-2-1
规格说明书:
IDK10G120C5XTMA1说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Infineon(英飞凌)
系列 CoolSiC™+
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
二极管类型 碳化硅肖特基
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值) 1200 V
电流 - 平均整流 (Io) 31.9A(DC)
不同 If 时电压 - 正向 (Vf) 1.8 V @ 10 A
速度 无恢复时间 > 500mA(Io)
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 18 µA @ 1200 V
不同 Vr、F 时电容 525pF @ 1V,1MHz
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
供应商器件封装 PG-TO263-2-1
工作温度 - 结 -55°C ~ 175°C
标准包装 1,000

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
1,000 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥37.229354 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥56.721946 ¥56.72
10+ ¥50.95277 ¥509.53
100+ ¥41.7431 ¥4174.31
500+ ¥37.229341 ¥18614.67
1000+ ¥37.229354 ¥37229.35

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