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64-0007

Infineon photo

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制造商编号:
64-0007
制造商:
Infineon英飞凌
系列:
HEXFET®
描述:
MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
详细描述:
通孔 N 通道 200 V 18A(Tc) 150W(Tc) TO-220AB
规格说明书:
64-0007说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Infineon(英飞凌)
系列 HEXFET®
包装 管件
零件状态 停产
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 18A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 150 毫欧 @ 11A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 67 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1160 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 150W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220AB
封装/外壳 TO-220-3
标准包装 50

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型号 品牌 参考价格 说明
STP19NF20 STMicroelectronics ¥11.14000 类似

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50 / PCS
包装
管件
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