RN2101MFV,L3F(CT
![Toshiba photo](https://file.ygchip.com/brands/labels/Toshiba Semiconductor and Storage.png)
![](https://file.ygchip.com/photos/Toshiba/Vcie16oP.jpg)
![](https://file.ygchip.com/photos/Toshiba/Vcie16oP.jpg)
图像仅供参考
请参阅产品规格
- 制造商编号:
- RN2101MFV,L3F(CT
- 制造商:
- Toshiba东芝
- 系列:
- -
- 描述:
- TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
- 详细描述:
- 晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置) PNP - 预偏压 50 V 100 mA 250 MHz 150 mW 表面贴装型 VESM
- 规格说明书:
- RN2101MFV,L3F(CT说明书
- 在线客服:
- 咨询客服
- 服务:
- 为用户提供价格咨询,发货售后,在线客服。
规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | Toshiba(东芝) |
系列 | - |
包装 | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态 | 在售 |
晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100 mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 50 V |
电阻器 - 基极 (R1) | 4.7 kOhms |
电阻器 - 发射极 (R2) | 4.7 kOhms |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 30 @ 10mA,5V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 300mV @ 500µA,5mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | 500nA |
频率 - 跃迁 | 250 MHz |
功率 - 最大值 | 150 mW |
安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | SOT-723 |
供应商器件封装 | VESM |
标准包装 | 8,000 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 8,000 / PCS
- 包装
- 卷带(TR)
总价:¥0.00
阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
---|---|---|
1+ | ¥1.573007 | ¥1.57 |
10+ | ¥1.46244 | ¥14.62 |
100+ | ¥0.795736 | ¥79.57 |
500+ | ¥0.489866 | ¥244.93 |
1000+ | ¥0.334047 | ¥334.05 |
2000+ | ¥0.283928 | ¥567.86 |
8000+ | ¥0.256104 | ¥2048.83 |
16000+ | ¥0.222694 | ¥3563.10 |
24000+ | ¥0.200422 | ¥4810.13 |
56000+ | ¥0.17816 | ¥9976.96 |
200000+ | ¥0.157563 | ¥31512.60 |