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EPC2108
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- 制造商编号：
- EPC2108
- 制造商：
- EPC
- 系列：
- eGaN®
- 描述：
- GANFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA
- 详细描述：
- MOSFET - 阵列 3 N 沟道（半桥 + 同步自举） 60V，100V 1.7A，500mA - 表面贴装型 9-BGA（1.35x1.35）
- 规格说明书：
- EPC2108说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | EPC |
| 系列 | eGaN® |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | 3 N 沟道（半桥 + 同步自举） |
| FET 功能 | GaNFET（氮化镓） |
| 漏源电压（Vdss） | 60V，100V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.7A，500mA |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 190 毫欧 @ 2.5A，5V，3.3 欧姆 @ 2.5A，5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 100µA，2.5V @ 20µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 0.22nC @ 5V，0.044nC @ 5V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 22pF @ 30V，7pF @ 30V |
| 功率 - 最大值 | - |
| 工作温度 | -40°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 9-VFBGA |
| 供应商器件封装 | 9-BGA（1.35x1.35） |
| 标准包装 | 2,500 |
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- 标准包装
- 2,500 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
单价：￥8.450799 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥18.240047 | ￥18.24 |
| 10+ | ￥16.424746 | ￥164.25 |
| 100+ | ￥13.200473 | ￥1320.05 |
| 500+ | ￥10.845281 | ￥5422.64 |
| 1000+ | ￥8.986015 | ￥8986.01 |
| 2500+ | ￥8.450799 | ￥21127.00 |
