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CSD17579Q5AT
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请参阅产品规格
- 制造商编号：
- CSD17579Q5AT
- 制造商：
- TI德州仪器
- 系列：
- NexFET™
- 描述：
- MOSFET N-CH 30V 25A 8VSON
- 详细描述：
- 表面贴装型 N 通道 30 V 25A（Ta） 3.1W（Ta），36W（Tc） 8-VSONP（5x6）
- 规格说明书：
- CSD17579Q5AT说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | TI(德州仪器) |
| 系列 | NexFET™ |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 25A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 9.7 毫欧 @ 8A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 15.1 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1030 pF @ 15 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 3.1W（Ta），36W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | 8-VSONP（5x6） |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
| 标准包装 | 250 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| RS1E150GNTB | Rohm Semiconductor | ¥5.15000 | 类似 |
| BSC079N03LSCGATMA1 | Infineon Technologies | ¥5.53000 | 类似 |
价格库存
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- 标准包装
- 250 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
单价：￥6.233061 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥12.893612 | ￥12.89 |
| 10+ | ￥11.554517 | ￥115.55 |
| 100+ | ￥9.011354 | ￥901.14 |
| 250+ | ￥8.423694 | ￥2105.92 |
| 500+ | ￥7.443953 | ￥3721.98 |
| 1000+ | ￥6.233061 | ￥6233.06 |
