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ISL9N303AP3
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- 制造商编号：
- ISL9N303AP3
- 制造商：
- ON安森美
- 系列：
- UltraFET™
- 描述：
- MOSFET N-CH 30V 75A TO220-3
- 详细描述：
- 通孔 N 通道 30 V 75A（Tc） 215W（Tc） TO-220-3
- 规格说明书：
- ISL9N303AP3说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | ON(安森美) |
| 系列 | UltraFET™ |
| 包装 | 管件 |
| 零件状态 | 停产 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 75A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 3.2 毫欧 @ 75A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 172 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 7000 pF @ 15 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 215W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-220-3 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 400 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| IPP80N03S4L03AKSA1 | Infineon Technologies | ¥18.20000 | 类似 |
| PSMN2R0-30PL,127 | Nexperia USA Inc. | ¥22.50000 | 类似 |
| PSMN4R3-30PL,127 | Nexperia USA Inc. | ¥12.52000 | 类似 |
| IRF3703PBF | Infineon Technologies | ¥30.49000 | 类似 |
| PSMN3R4-30PL,127 | Nexperia USA Inc. | ¥16.28000 | 类似 |
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- 包装
- 管件
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