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BAS16E6433HTMA1

Infineon photo

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请参阅产品规格

制造商编号:
BAS16E6433HTMA1
制造商:
Infineon英飞凌
系列:
-
描述:
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3
详细描述:
二极管 标准 80 V 250mA(DC) 表面贴装型 PG-SOT23
规格说明书:
BAS16E6433HTMA1说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Infineon(英飞凌)
系列 -
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 不适用于新设计
二极管类型 标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值) 80 V
电流 - 平均整流 (Io) 250mA(DC)
不同 If 时电压 - 正向 (Vf) 1.25 V @ 150 mA
速度 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间 (trr) 4 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 1 µA @ 75 V
不同 Vr、F 时电容 2pF @ 0V,1MHz
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装 PG-SOT23
工作温度 - 结 150°C(最大)
标准包装 10,000

替代产品

型号 品牌 参考价格 说明
BAS116LT1G onsemi ¥2.38000 类似
MMBD4448-7-F Diodes Incorporated ¥1.69000 类似
SBAS16LT1G onsemi ¥2.69000 直接
BAS116,215 Nexperia USA Inc. ¥2.15000 类似
BAS16LT1G onsemi ¥1.00000 类似

价格库存

库存
0
货期
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标准包装
10,000 / PCS
包装
卷带(TR)
总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
50000+ ¥0.336145 ¥16807.25

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