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STGW100H65FB2-4

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请参阅产品规格

制造商编号:
STGW100H65FB2-4
制造商:
ST意法半导体
系列:
HB2
描述:
TRENCH GATE FIELD-STOP, 650 V, 1
详细描述:
IGBT 沟槽型场截止 650 V 145 A 441 W 通孔 TO-247-4
规格说明书:
STGW100H65FB2-4说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 ST(意法半导体)
系列 HB2
封装/外壳 TO-247-4
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
包装 管件
零件状态 在售
IGBT 类型 沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值) 650 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 145 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm) 300 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) 1.8V @ 15V,100A
功率 - 最大值 441 W
开关能量 1.06mJ (开), 1.14mJ (关)
输入类型 标准
栅极电荷 288 nC
25°C 时 Td(开/关)值 23ns/141ns
测试条件 SOT-323FL
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-247-4
标准包装 30

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
30 / PCS
包装
管件
单价:¥53.306892 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥76.86433 ¥76.86
10+ ¥69.420351 ¥694.20
100+ ¥57.474053 ¥5747.41
500+ ¥53.306892 ¥26653.45

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