在线客服 
NTZS3151PT1G
图像仅供参考
请参阅产品规格
- 制造商编号：
- NTZS3151PT1G
- 制造商：
- ON安森美
- 系列：
- -
- 描述：
- MOSFET P-CH 20V 860MA SOT563
- 详细描述：
- 表面贴装型 P 通道 20 V 860mA（Ta） 170mW（Ta） SOT-563
- 规格说明书：
- NTZS3151PT1G说明书
- 在线客服：
- 咨询客服
- 服务：
- 为用户提供价格咨询，发货售后，在线客服。
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | ON(安森美) |
| 系列 | - |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 20 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 860mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.8V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 150 毫欧 @ 950mA，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 5.6 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值） | ±8V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 458 pF @ 16 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 170mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | SOT-563 |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 标准包装 | 4,000 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| CMLDM8120 TR | Central Semiconductor Corp | ¥5.45000 | 直接 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 4,000 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥3.590559 | ￥3.59 |
| 10+ | ￥2.914622 | ￥29.15 |
| 100+ | ￥1.987118 | ￥198.71 |
| 500+ | ￥1.490595 | ￥745.30 |
| 1000+ | ￥1.11794 | ￥1117.94 |
| 2000+ | ￥1.024803 | ￥2049.61 |
| 4000+ | ￥1.02478 | ￥4099.12 |
| 8000+ | ￥0.988076 | ￥7904.61 |
