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FDB150N10
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请参阅产品规格
- 制造商编号：
- FDB150N10
- 制造商：
- ON安森美
- 系列：
- PowerTrench®
- 描述：
- MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
- 详细描述：
- 表面贴装型 N 通道 100 V 57A（Tc） 110W（Tc） D²PAK（TO-263）
- 规格说明书：
- FDB150N10说明书
- 在线客服：
- 咨询客服
- 服务：
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | ON(安森美) |
| 系列 | PowerTrench® |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 57A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 15 毫欧 @ 49A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 69 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 4760 pF @ 25 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 110W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | D²PAK（TO-263） |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 800 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| IPB144N12N3GATMA1 | Infineon Technologies | ¥17.97000 | 类似 |
| PSMN013-100BS,118 | Nexperia USA Inc. | ¥13.67000 | 类似 |
| PHB27NQ10T,118 | Nexperia USA Inc. | ¥11.52000 | 类似 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 800 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
单价：￥23.883545 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥39.812291 | ￥39.81 |
| 10+ | ￥35.73035 | ￥357.30 |
| 100+ | ￥29.27397 | ￥2927.40 |
| 800+ | ￥24.920766 | ￥19936.61 |
| 1600+ | ￥23.883545 | ￥38213.67 |
