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    PD20010S-E

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    制造商编号：
    PD20010S-E
    制造商：
    ST意法半导体
    系列：
    -
    描述：
    TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
    详细描述：
    RF Mosfet LDMOS 13.6 V 150 mA 2GHz 11dB 10W PowerSO-10RF（直引线）
    规格说明书：
    PD20010S-E说明书
    在线客服：
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    规格参数

    属性 属性值
    制造商 ST(意法半导体)
    系列 -
    包装 管件
    零件状态 停产
    晶体管类型 LDMOS
    频率 2GHz
    增益 11dB
    电压 - 测试 13.6 V
    额定电流（安培） 5A
    噪声系数 -
    电流 - 测试 150 mA
    功率 - 输出 10W
    电压 - 额定 40 V
    封装/外壳 PowerSO-10RF 裸露底部焊盘（2 条直引线）
    供应商器件封装 PowerSO-10RF（直引线）
    标准包装 50

    替代产品

    型号 品牌 参考价格 说明
    CGHV40100P Wolfspeed, Inc. ¥2,299.21000 类似
    CE3512K2 CEL ¥10.67000 类似
    BLA9G1011LS-300GU Ampleon USA Inc. ¥2,087.79000 类似

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    标准包装
    50 / PCS
    包装
    管件
    单价：￥0 总价：￥0.00
    阶梯 单价(含税价) 总价
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