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IXFN82N60Q3
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请参阅产品规格
- 制造商编号：
- IXFN82N60Q3
- 制造商：
- IXYS艾赛斯
- 系列：
- HiPerFET™, Q3 Class
- 描述：
- MOSFET N-CH 600V 66A SOT227B
- 详细描述：
- 底座安装 N 通道 600 V 66A（Tc） 960W（Tc） SOT-227B
- 规格说明书：
- IXFN82N60Q3说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | IXYS(艾赛斯) |
| 系列 | HiPerFET™, Q3 Class |
| 包装 | 管件 |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 600 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 66A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 75 毫欧 @ 41A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 6.5V @ 8mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 275 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 13500 pF @ 25 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 960W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 底座安装 |
| 供应商器件封装 | SOT-227B |
| 封装/外壳 | SOT-227-4，miniBLOC |
| 标准包装 | 10 |
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- 标准包装
- 10 / PCS
- 包装
- 管件
单价：￥474.028116 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥562.693644 | ￥562.69 |
| 10+ | ￥528.588361 | ￥5285.88 |
| 100+ | ￥474.028116 | ￥47402.81 |
