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TP65H300G4LSG
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- 制造商编号：
- TP65H300G4LSG
- 制造商：
- Transphorm
- 系列：
- -
- 描述：
- GANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFN
- 详细描述：
- 表面贴装型 N 通道 650 V 6.5A（Tc） 21W（Tc） 3-PQFN（8x8）
- 规格说明书：
- TP65H300G4LSG说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Transphorm |
| 系列 | - |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | GaNFET（氮化镓） |
| 漏源电压（Vdss） | 650 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 6.5A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 8V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 312毫欧 @ 5A，8V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.6V @ 500µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 9.6 nC @ 8 V |
| Vgs（最大值） | ±18V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 760 pF @ 400 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 21W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | 3-PQFN（8x8） |
| 封装/外壳 | 3-PowerDFN |
| 标准包装 | 240 |
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- 标准包装
- 240 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
单价：￥19.765497 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥38.382431 | ￥38.38 |
| 10+ | ￥34.499427 | ￥344.99 |
| 100+ | ￥28.264613 | ￥2826.46 |
| 240+ | ￥26.814958 | ￥6435.59 |
| 480+ | ￥24.061009 | ￥11549.28 |
| 500+ | ￥24.061196 | ￥12030.60 |
| 1000+ | ￥20.292568 | ￥20292.57 |
| 2000+ | ￥19.765497 | ￥39530.99 |
