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DMN16M0UCA6-7

Diodes photo

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制造商编号:
DMN16M0UCA6-7
制造商:
Diodes美台
系列:
-
描述:
MOSFET BVDSS: 8V-24V X4-DSN2112-
详细描述:
MOSFET - 阵列 2 N 沟道(双)共漏 12V 17A(Ta) 900mW 表面贴装型 X4-DSN2112-6
规格说明书:
DMN16M0UCA6-7说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Diodes(美台)
系列 -
包装 卷带(TR)
零件状态 在售
FET 类型 2 N 沟道(双)共漏
FET 功能 标准
漏源电压(Vdss) 12V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 17A(Ta)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 5.9mOhm @ 5A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1.3V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 24nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) -
功率 - 最大值 900mW
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 6-SMD,无引线
供应商器件封装 X4-DSN2112-6
标准包装 3,000

价格库存

库存
0
货期
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标准包装
3,000 / PCS
包装
卷带(TR)
总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
3000+ ¥2.274454 ¥6823.36

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