SIHP22N65E-GE3
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- 制造商编号:
- SIHP22N65E-GE3
- 制造商:
- Vishay威世
- 系列:
- -
- 描述:
- MOSFET N-CH 650V 22A TO220AB
- 详细描述:
- 通孔 N 通道 650 V 22A(Tc) 227W(Tc) TO-220AB
- 规格说明书:
- SIHP22N65E-GE3说明书
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规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | Vishay(威世) |
系列 | - |
包装 | 管件 |
零件状态 | 在售 |
FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 650 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 22A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 180 毫欧 @ 11A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 110 nC @ 10 V |
Vgs(最大值) | ±30V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 2415 pF @ 100 V |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 227W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 通孔 |
供应商器件封装 | TO-220AB |
封装/外壳 | TO-220-3 |
标准包装 | 1,000 |
替代产品
型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
---|---|---|---|
FCP190N65F | Rochester Electronics, LLC | ¥25.80000 | 类似 |
FCP20N60 | onsemi | ¥35.33000 | 直接 |
SPP20N60C3XKSA1 | Infineon Technologies | ¥48.08000 | 类似 |
IPP65R190E6XKSA1 | Infineon Technologies | ¥30.72000 | 类似 |
价格库存
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- 0
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- 标准包装
- 1,000 / PCS
- 包装
- 管件
单价:¥26.154512 总价:¥0.00
阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
---|---|---|
1000+ | ¥26.154512 | ¥26154.51 |