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STGYA120M65DF2
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- 制造商编号：
- STGYA120M65DF2
- 制造商：
- ST意法半导体
- 系列：
- M
- 描述：
- TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S
- 详细描述：
- IGBT NPT，沟槽型场截止 650 V 160 A 625 W 通孔 MAX247™
- 规格说明书：
- STGYA120M65DF2说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | ST(意法半导体) |
| 系列 | M |
| 包装 | 管件 |
| 零件状态 | 在售 |
| IGBT 类型 | NPT，沟槽型场截止 |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 650 V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 160 A |
| 电流 - 集电极脉冲 (Icm) | 360 A |
| 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值） | 1.95V @ 15V，120A |
| 功率 - 最大值 | 625 W |
| 开关能量 | 1.8mJ（开），4.41mJ（关） |
| 输入类型 | 标准 |
| 栅极电荷 | 420 nC |
| 25°C 时 Td（开/关）值 | 66ns/185ns |
| 测试条件 | 400V，120A，4.7 欧姆，15V |
| 反向恢复时间 (trr) | 202 ns |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 裸露焊盘 |
| 供应商器件封装 | MAX247™ |
| 标准包装 | 600 |
价格库存
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- 标准包装
- 600 / PCS
- 包装
- 管件
单价：￥117.655267 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥149.625581 | ￥149.63 |
| 10+ | ￥137.537665 | ￥1375.38 |
| 100+ | ￥117.655267 | ￥11765.53 |
