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RGT8BM65DTL

Rohm Semiconductor photo

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请参阅产品规格

制造商编号:
RGT8BM65DTL
制造商:
Rohm Semiconductor罗姆
系列:
-
描述:
IGBT 650V 8A 62W TO-252
详细描述:
IGBT 沟槽型场截止 650 V 8 A 62 W 表面贴装型 TO-252
规格说明书:
RGT8BM65DTL说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Rohm Semiconductor(罗姆)
系列 -
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
IGBT 类型 沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值) 650 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 8 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm) 12 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) 2.1V @ 15V,4A
功率 - 最大值 62 W
开关能量 -
输入类型 标准
栅极电荷 13.5 nC
25°C 时 Td(开/关)值 17ns/69ns
测试条件 400V,4A,50欧姆,15V
反向恢复时间 (trr) 40 ns
工作温度 -40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
供应商器件封装 TO-252
标准包装 2,500

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
2,500 / PCS
包装
卷带(TR)
总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥16.983914 ¥16.98
10+ ¥15.249047 ¥152.49
100+ ¥12.253381 ¥1225.34
500+ ¥10.067608 ¥5033.80
1000+ ¥8.341723 ¥8341.72
2500+ ¥8.140914 ¥20352.28

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