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IDB30E60ATMA1

Infineon photo

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制造商编号:
IDB30E60ATMA1
制造商:
Infineon英飞凌
系列:
-
描述:
DIODE GEN PURP 600V 52.3A TO263
详细描述:
二极管 标准 600 V 52.3A(DC) 表面贴装型 PG-TO263-3-2
规格说明书:
IDB30E60ATMA1说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Infineon(英飞凌)
系列 -
包装 卷带(TR)
零件状态 最后售卖
二极管类型 标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值) 600 V
电流 - 平均整流 (Io) 52.3A(DC)
不同 If 时电压 - 正向 (Vf) 2 V @ 30 A
速度 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间 (trr) 126 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 50 µA @ 600 V
不同 Vr、F 时电容 -
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
供应商器件封装 PG-TO263-3-2
工作温度 - 结 -40°C ~ 175°C
标准包装 1,000

替代产品

型号 品牌 参考价格 说明
RFUH10NS6STL Rohm Semiconductor ¥11.14000 类似
DSEI36-06AS-TUB IXYS ¥24.96000 类似
DSEP60-06AT-TUB IXYS ¥60.59000 类似
STTH15RQ06GY-TR STMicroelectronics ¥14.59000 类似
VS-ETH1506S-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division ¥12.59000 类似

价格库存

库存
0
货期
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标准包装
1,000 / PCS
包装
卷带(TR)
总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1000+ ¥11.808699 ¥11808.70

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