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IXTL2X200N085T

IXYS photo

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制造商编号:
IXTL2X200N085T
制造商:
IXYS艾赛斯
系列:
TrenchMV™
描述:
MOSFET 2N-CH 85V 112A I5-PAK
详细描述:
MOSFET - 阵列 2 N-通道(双) 85V 112A 150W 通孔 ISOPLUSi5-Pak™
规格说明书:
IXTL2X200N085T说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 IXYS(艾赛斯)
系列 TrenchMV™
包装 管件
零件状态 停产
FET 类型 2 N-通道(双)
FET 功能 标准
漏源电压(Vdss) 85V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 112A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 6 毫欧 @ 50A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 152nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 7600pF @ 25V
功率 - 最大值 150W
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 通孔
封装/外壳 ISOPLUSi5-Pak™
供应商器件封装 ISOPLUSi5-Pak™
标准包装 25

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标准包装
25 / PCS
包装
管件
总价:¥0.00
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