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FQB50N06LTM
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请参阅产品规格
- 制造商编号：
- FQB50N06LTM
- 制造商：
- ON安森美
- 系列：
- QFET®
- 描述：
- MOSFET N-CH 60V 52.4A D2PAK
- 详细描述：
- 表面贴装型 N 通道 60 V 52.4A（Tc） 3.75W（Ta），121W（Tc） D²PAK（TO-263）
- 规格说明书：
- FQB50N06LTM说明书
- 在线客服：
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | ON(安森美) |
| 系列 | QFET® |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 52.4A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 21 毫欧 @ 26.2A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 32 nC @ 5 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1630 pF @ 25 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 3.75W（Ta），121W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | D²PAK（TO-263） |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 800 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| IRFZ48RSPBF | Vishay Siliconix | ¥29.11000 | 类似 |
| PSMN004-60B,118 | Nexperia USA Inc. | ¥26.73000 | 类似 |
价格库存
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- 0
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- 标准包装
- 800 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
单价：￥7.334003 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥15.181389 | ￥15.18 |
| 10+ | ￥13.597352 | ￥135.97 |
| 100+ | ￥10.602727 | ￥1060.27 |
| 800+ | ￥8.758891 | ￥7007.11 |
| 1600+ | ￥7.334003 | ￥11734.40 |
