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STGWT40H60DLFB

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制造商编号:
STGWT40H60DLFB
制造商:
ST意法半导体
系列:
-
描述:
IGBT 600V 80A 283W TO3P-3L
详细描述:
IGBT 沟槽型场截止 600 V 80 A 283 W 通孔 TO-3P
规格说明书:
STGWT40H60DLFB说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 ST(意法半导体)
系列 -
包装 管件
零件状态 停产
IGBT 类型 沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值) 600 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 80 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm) 160 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) 2V @ 15V,40A
功率 - 最大值 283 W
开关能量 363µJ(关)
输入类型 标准
栅极电荷 210 nC
25°C 时 Td(开/关)值 -/142ns
测试条件 400V,40A,10 欧姆,15V
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-3P-3,SC-65-3
供应商器件封装 TO-3P
标准包装 30

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型号 品牌 参考价格 说明
STGWA40HP65FB2 STMicroelectronics ¥32.18000 类似

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标准包装
30 / PCS
包装
管件
单价:¥30.197287 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥41.055648 ¥41.06
10+ ¥36.856832 ¥368.57
100+ ¥30.197287 ¥3019.73

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