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IPD50P04P4L11ATMA1

Infineon photo

图像仅供参考

请参阅产品规格

制造商编号:
IPD50P04P4L11ATMA1
制造商:
Infineon英飞凌
系列:
Automotive, OptiMOS™-P2
描述:
MOSFET P-CH 40V 50A TO252-3
详细描述:
表面贴装型 P 通道 40 V 50A(Tc) 58W(Tc) PG-TO252-3-313
规格说明书:
IPD50P04P4L11ATMA1说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Infineon(英飞凌)
系列 OptiMOS™
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 不适用于新设计
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 50A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 10.6 毫欧 @ 50A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 85µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 59 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 3900 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 58W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 PG-TO252-3-313
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
标准包装 2,500

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
2,500 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥6.716714 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥13.279053 ¥13.28
10+ ¥11.88898 ¥118.89
100+ ¥9.269102 ¥926.91
500+ ¥7.65709 ¥3828.55
1000+ ¥6.716714 ¥6716.71
2500+ ¥6.716714 ¥16791.78

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