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SIHH20N50E-T1-GE3

Vishay photo

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制造商编号:
SIHH20N50E-T1-GE3
制造商:
Vishay威世
系列:
E
描述:
MOSFET N-CH 500V 22A PPAK 8 X 8
详细描述:
表面贴装型 N 通道 500 V 22A(Tc) 174W(Tc) PowerPAK® 8 x 8
规格说明书:
SIHH20N50E-T1-GE3说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Vishay(威世)
系列 E
包装 散装
零件状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 22A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 147 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 84 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 2063 pF @ 100 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 174W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 PowerPAK® 8 x 8
封装/外壳 8-PowerTDFN
标准包装 3,000

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
3,000 / PCS
包装
散装
单价:¥27.462237 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥48.503357 ¥48.50
10+ ¥43.572203 ¥435.72
100+ ¥35.70051 ¥3570.05
500+ ¥30.391549 ¥15195.77
1000+ ¥27.462237 ¥27462.24

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