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STGFW40H65FB

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制造商编号:
STGFW40H65FB
制造商:
ST意法半导体
系列:
-
描述:
IGBT HB 650V 40A ISOWATT218
详细描述:
IGBT 沟槽型场截止 650 V 80 A 62.5 W 通孔 TO-3PF-3
规格说明书:
STGFW40H65FB说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 ST(意法半导体)
系列 -
包装 管件
零件状态 在售
IGBT 类型 沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值) 650 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 80 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm) 160 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) 2V @ 15V,40A
功率 - 最大值 62.5 W
开关能量 498µJ(开),363µJ(关)
输入类型 标准
栅极电荷 210 nC
25°C 时 Td(开/关)值 40ns/142ns
测试条件 400V,40A,5 欧姆,15V
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-3P-3 整包
供应商器件封装 TO-3PF-3
标准包装 30

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
30 / PCS
包装
管件
总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥33.614471 ¥33.61
10+ ¥30.156136 ¥301.56
100+ ¥24.709201 ¥2470.92
500+ ¥21.034338 ¥10517.17
1000+ ¥20.919657 ¥20919.66

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