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IXSN55N120A

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制造商编号:
IXSN55N120A
制造商:
IXYS艾赛斯
系列:
-
描述:
IGBT MOD 1200V 110A 500W SOT227B
详细描述:
IGBT 模块 - 单路 1200 V 110 A 500 W 底座安装 SOT-227B
规格说明书:
IXSN55N120A说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 IXYS(艾赛斯)
系列 -
包装 管件
零件状态 停产
IGBT 类型 -
配置 单路
电压 - 集射极击穿(最大值) 1200 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 110 A
功率 - 最大值 500 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) 4V @ 15V,55A
电流 - 集电极截止(最大值) 1 mA
不同 Vce 时输入电容 (Cies) 8 nF @ 25 V
输入 标准
NTC 热敏电阻
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 底座安装
封装/外壳 SOT-227-4,miniBLOC
供应商器件封装 SOT-227B
标准包装 10

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型号 品牌 参考价格 说明
APT85GR120J Microchip Technology ¥269.25000 类似

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