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SIHD4N80E-GE3

Vishay photo

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制造商编号:
SIHD4N80E-GE3
制造商:
Vishay威世
系列:
E
描述:
MOSFET N-CH 800V 4.3A DPAK
详细描述:
表面贴装型 N 通道 800 V 4.3A(Tc) 69W(Tc) TO-252AA
规格说明书:
SIHD4N80E-GE3说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Vishay(威世)
系列 E
包装 散装
零件状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 4.3A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 1.27 欧姆 @ 2A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 32 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 622 pF @ 100 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 69W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 TO-252AA
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
标准包装 3,000

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型号 品牌 参考价格 说明
STD6N62K3 STMicroelectronics ¥14.59000 类似

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标准包装
3,000 / PCS
包装
散装
单价:¥8.933495 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥17.568634 ¥17.57
10+ ¥15.784417 ¥157.84
100+ ¥12.685723 ¥1268.57
500+ ¥10.422465 ¥5211.23
1000+ ¥8.933495 ¥8933.50

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