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IPN50R650CEATMA1
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- 制造商编号：
- IPN50R650CEATMA1
- 制造商：
- Infineon英飞凌
- 系列：
- CoolMOS™ CE
- 描述：
- MOSFET N-CH 500V 9A SOT223
- 详细描述：
- 表面贴装型 N 通道 500 V 9A（Tc） 5W（Tc） PG-SOT223-3
- 规格说明书：
- IPN50R650CEATMA1说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Infineon(英飞凌) |
| 系列 | CoolMOS™ CE |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 500 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 9A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 13V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 650 毫欧 @ 1.8A，13V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.5V @ 150µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 15 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 342 pF @ 100 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 5W（Tc） |
| 工作温度 | -40°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | PG-SOT223-3 |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 标准包装 | 3,000 |
价格库存
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- 0
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- 标准包装
- 3,000 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
单价：￥4.228259 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥9.548982 | ￥9.55 |
| 10+ | ￥8.374009 | ￥83.74 |
| 100+ | ￥6.418831 | ￥641.88 |
| 500+ | ￥5.073916 | ￥2536.96 |
| 1000+ | ￥4.228259 | ￥4228.26 |
| 3000+ | ￥4.228259 | ￥12684.78 |
