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    CSD75207W15

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    制造商编号：
    CSD75207W15
    制造商：
    TI德州仪器
    系列：
    NexFET™
    描述：
    MOSFET 2P-CH 3.9A 9DSBGA
    详细描述：
    MOSFET - 阵列 2 P 沟道（双）共源 - 3.9A 700mW 表面贴装型 9-DSBGA
    规格说明书：
    CSD75207W15说明书
    在线客服：
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    规格参数

    属性 属性值
    制造商 TI(德州仪器)
    系列 NexFET™
    包装 卷带（TR） 剪切带（CT）
    零件状态 在售
    FET 类型 2 P 沟道（双）共源
    FET 功能 逻辑电平门
    漏源电压（Vdss） -
    25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 3.9A
    不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 162 毫欧 @ 1A，1.8V
    不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 1.1V @ 250µA
    不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 3.7nC @ 4.5V
    不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 595pF @ 10V
    功率 - 最大值 700mW
    工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
    安装类型 表面贴装型
    封装/外壳 9-UFBGA，DSBGA
    供应商器件封装 9-DSBGA
    标准包装 3,000

    价格库存

    库存
    0
    货期
    咨询客服
    标准包装
    3,000 / PCS
    包装
    卷带（TR）
    总价：￥0.00
    阶梯 单价(含税价) 总价
    1+ ￥6.212237 ￥6.21
    10+ ￥5.497545 ￥54.98
    100+ ￥4.215088 ￥421.51
    500+ ￥3.331811 ￥1665.91
    1000+ ￥2.665437 ￥2665.44
    3000+ ￥2.6503 ￥7950.90

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