在线客服 
FDP52N20
图像仅供参考
请参阅产品规格
- 制造商编号：
- FDP52N20
- 制造商：
- ON安森美
- 系列：
- UniFET™
- 描述：
- MOSFET N-CH 200V 52A TO220-3
- 详细描述：
- 通孔 N 通道 200 V 52A（Tc） 357W（Tc） TO-220-3
- 规格说明书：
- FDP52N20说明书
- 在线客服：
- 咨询客服
- 服务：
- 为用户提供价格咨询，发货售后，在线客服。
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | ON(安森美) |
| 系列 | UniFET™ |
| 包装 | 管件 |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 200 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 52A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 49 毫欧 @ 26A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 63 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2900 pF @ 25 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 357W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-220-3 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 1,000 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| IRFB260NPBF | Infineon Technologies | ¥24.57000 | 类似 |
| RCX510N25 | Rohm Semiconductor | ¥34.02000 | 直接 |
| IXTP50N20P | IXYS | ¥38.94000 | 类似 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 1,000 / PCS
- 包装
- 管件
单价：￥13.326139 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥24.730371 | ￥24.73 |
| 10+ | ￥22.200139 | ￥222.00 |
| 100+ | ￥17.841427 | ￥1784.14 |
| 500+ | ￥14.658731 | ￥7329.37 |
| 1000+ | ￥13.326139 | ￥13326.14 |
