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IRLI640GPBF
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- 制造商编号：
- IRLI640GPBF
- 制造商：
- Vishay威世
- 系列：
- -
- 描述：
- MOSFET N-CH 200V 9.9A TO220-3
- 详细描述：
- 通孔 N 通道 200 V 9.9A（Tc） 40W（Tc） TO-220-3
- 规格说明书：
- IRLI640GPBF说明书
- 在线客服：
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Vishay(威世) |
| 系列 | - |
| 包装 | 管件 |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 200 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 9.9A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4V，5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 180 毫欧 @ 5.9A，5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 66 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1800 pF @ 25 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 40W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-220-3 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 全封装，隔离接片 |
| 标准包装 | 50 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| FQPF19N20 | Rochester Electronics, LLC | ¥6.26394 | 类似 |
| STF19NF20 | STMicroelectronics | ¥10.91000 | 类似 |
| IRLS640A | onsemi | ¥14.36000 | 类似 |
| IRF200B211 | Infineon Technologies | ¥9.60000 | 类似 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 50 / PCS
- 包装
- 管件
总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥30.639437 | ￥30.64 |
| 10+ | ￥27.478605 | ￥274.79 |
| 100+ | ￥22.514629 | ￥2251.46 |
| 500+ | ￥19.165994 | ￥9583.00 |
| 1000+ | ￥17.318622 | ￥17318.62 |
