TSM110NB04DCR RLG
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- 制造商编号:
- TSM110NB04DCR RLG
- 系列:
- -
- 描述:
- DUAL N-CHANNEL POWER MOSFET 40V,
- 详细描述:
- MOSFET - 阵列 2 N-通道(双) 40V 10A(Ta),48A(Tc) 2W(Ta),48W(Tc) 表面贴装型 8-PDFN(5x6)
- 规格说明书:
- TSM110NB04DCR RLG说明书
- 在线客服:
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规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | Taiwan Semiconductor(台湾积体电路) |
系列 | - |
包装 | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态 | 在售 |
FET 类型 | 2 N-通道(双) |
FET 功能 | 标准 |
漏源电压(Vdss) | 40V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 10A(Ta),48A(Tc) |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 11 毫欧 @ 10A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 25nC @ 10V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 1506pF @ 20V |
功率 - 最大值 | 2W(Ta),48W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 155°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
供应商器件封装 | 8-PDFN(5x6) |
标准包装 | 2,500 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 2,500 / PCS
- 包装
- 卷带(TR)
单价:¥12.020191 总价:¥0.00
阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
---|---|---|
1+ | ¥25.973728 | ¥25.97 |
10+ | ¥23.356461 | ¥233.56 |
100+ | ¥18.775064 | ¥1877.51 |
500+ | ¥15.425908 | ¥7712.95 |
1000+ | ¥12.781424 | ¥12781.42 |
2000+ | ¥12.020191 | ¥24040.38 |
5000+ | ¥12.020191 | ¥60100.96 |