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TSM110NB04DCR RLG

Taiwan Semiconductor photo

图像仅供参考

请参阅产品规格

制造商编号:
TSM110NB04DCR RLG
制造商:
Taiwan Semiconductor台湾积体电路
系列:
-
描述:
DUAL N-CHANNEL POWER MOSFET 40V,
详细描述:
MOSFET - 阵列 2 N-通道(双) 40V 10A(Ta),48A(Tc) 2W(Ta),48W(Tc) 表面贴装型 8-PDFN(5x6)
规格说明书:
TSM110NB04DCR RLG说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Taiwan Semiconductor(台湾积体电路)
系列 -
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 2 N-通道(双)
FET 功能 标准
漏源电压(Vdss) 40V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 10A(Ta),48A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 11 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 25nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1506pF @ 20V
功率 - 最大值 2W(Ta),48W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 155°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 8-PowerTDFN
供应商器件封装 8-PDFN(5x6)
标准包装 2,500

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
2,500 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥12.020191 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥25.973728 ¥25.97
10+ ¥23.356461 ¥233.56
100+ ¥18.775064 ¥1877.51
500+ ¥15.425908 ¥7712.95
1000+ ¥12.781424 ¥12781.42
2000+ ¥12.020191 ¥24040.38
5000+ ¥12.020191 ¥60100.96

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