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BSB056N10NN3GXUMA1

Infineon photo

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制造商编号:
BSB056N10NN3GXUMA1
制造商:
Infineon英飞凌
系列:
OptiMOS™
描述:
MOSFET N-CH 100V 9A/83A 2WDSON
详细描述:
表面贴装型 N 通道 100 V 9A(Ta),83A(Tc) 2.8W(Ta),78W(Tc) MG-WDSON-2,CanPAK M™
规格说明书:
BSB056N10NN3GXUMA1说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Infineon(英飞凌)
系列 OptiMOS™
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 9A(Ta),83A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 6V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 5.6 毫欧 @ 30A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 74 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 5500 pF @ 50 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 2.8W(Ta),78W(Tc)
工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 MG-WDSON-2,CanPAK M™
封装/外壳 3-WDSON
标准包装 5,000

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
5,000 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥26.786647 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥42.584977 ¥42.58
10+ ¥38.253121 ¥382.53
100+ ¥31.340554 ¥3134.06
500+ ¥26.786659 ¥13393.33
5000+ ¥26.786647 ¥133933.23

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