在线客服 
IXTP1R6N100D2
图像仅供参考
请参阅产品规格
- 制造商编号：
- IXTP1R6N100D2
- 制造商：
- IXYS艾赛斯
- 系列：
- Depletion
- 描述：
- MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO220AB
- 详细描述：
- 通孔 N 通道 1000 V 1.6A（Tc） 100W（Tc） TO-220-3
- 规格说明书：
- IXTP1R6N100D2说明书
- 在线客服：
- 咨询客服
- 服务：
- 为用户提供价格咨询，发货售后，在线客服。
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | IXYS(艾赛斯) |
| 系列 | Depletion |
| 包装 | 管件 |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 1000 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.6A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 10 欧姆 @ 800mA，0V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | - |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 27 nC @ 5 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 645 pF @ 25 V |
| FET 功能 | 耗尽模式 |
| 功率耗散（最大值） | 100W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-220-3 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 50 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 50 / PCS
- 包装
- 管件
单价：￥14.748216 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥28.646945 | ￥28.65 |
| 10+ | ￥25.742463 | ￥257.42 |
| 100+ | ￥21.089821 | ￥2108.98 |
| 500+ | ￥17.953553 | ￥8976.78 |
| 1000+ | ￥15.141515 | ￥15141.51 |
| 2000+ | ￥14.748216 | ￥29496.43 |
