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CSD86356Q5D

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制造商编号:
CSD86356Q5D
制造商:
TI德州仪器
系列:
NexFET™
描述:
25V POWERBLOCK N CH MOSFET
详细描述:
MOSFET - 阵列 2 个 N 通道(半桥) 25V 40A(Ta) 12W(Ta) 表面贴装型 8-VSON-CLIP(5x6)
规格说明书:
CSD86356Q5D说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 TI(德州仪器)
系列 NexFET™
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 2 个 N 通道(半桥)
FET 功能 逻辑电平栅极,5V 驱动
漏源电压(Vdss) 25V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 40A(Ta)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 4.5 毫欧 @ 20A,5V,0.8 毫欧 @ 20A,5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1.85V @ 250µA,1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 7.9nC @ 4.5V,19.3nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1.04nF @ 12.5V,2.51nF @ 12.5V
功率 - 最大值 12W(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 8-PowerTDFN
供应商器件封装 8-VSON-CLIP(5x6)
标准包装 2,500

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
2,500 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥13.535607 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
2500+ ¥13.535607 ¥33839.02

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