CSD86356Q5D
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请参阅产品规格
- 制造商编号:
- CSD86356Q5D
- 制造商:
- TI德州仪器
- 系列:
- NexFET™
- 描述:
- 25V POWERBLOCK N CH MOSFET
- 详细描述:
- MOSFET - 阵列 2 个 N 通道(半桥) 25V 40A(Ta) 12W(Ta) 表面贴装型 8-VSON-CLIP(5x6)
- 规格说明书:
- CSD86356Q5D说明书
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规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | TI(德州仪器) |
系列 | NexFET™ |
包装 | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态 | 在售 |
FET 类型 | 2 个 N 通道(半桥) |
FET 功能 | 逻辑电平栅极,5V 驱动 |
漏源电压(Vdss) | 25V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 40A(Ta) |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 4.5 毫欧 @ 20A,5V,0.8 毫欧 @ 20A,5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 1.85V @ 250µA,1.5V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 7.9nC @ 4.5V,19.3nC @ 4.5V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 1.04nF @ 12.5V,2.51nF @ 12.5V |
功率 - 最大值 | 12W(Ta) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
供应商器件封装 | 8-VSON-CLIP(5x6) |
标准包装 | 2,500 |
价格库存
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- 标准包装
- 2,500 / PCS
- 包装
- 卷带(TR)
总价:¥0.00
阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
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2500+ | ¥12.408904 | ¥31022.26 |