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NTD4959NH-1G

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制造商编号:
NTD4959NH-1G
制造商:
ON安森美
系列:
-
描述:
MOSFET N-CH 30V 9A/58A IPAK
详细描述:
通孔 N 通道 30 V 9A(Ta),58A(Tc) 1.3W(Ta),52W(Tc) I-PAK
规格说明书:
NTD4959NH-1G说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 ON(安森美)
系列 -
包装 管件
零件状态 停产
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 9A(Ta),58A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,11.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 9 毫欧 @ 30A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 44 nC @ 11.5 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 2155 pF @ 12 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 1.3W(Ta),52W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 I-PAK
封装/外壳 TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
标准包装 75

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型号 品牌 参考价格 说明
STD40NF03LT4 STMicroelectronics ¥15.51000 类似

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