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IRF60DM206
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请参阅产品规格
- 制造商编号：
- IRF60DM206
- 制造商：
- Infineon英飞凌
- 系列：
- StrongIRFET™
- 描述：
- MOSFET N-CH 60V 130A DIRECTFET
- 详细描述：
- 表面贴装型 N 通道 60 V 130A（Tc） 96W（Tc） DirectFET™ Isometric ME
- 规格说明书：
- IRF60DM206说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Infineon(英飞凌) |
| 系列 | StrongIRFET™ |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 不适用于新设计 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 130A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 6V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 2.9 毫欧 @ 80A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.7V @ 150µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 200 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 6530 pF @ 25 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 96W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | DirectFET™ Isometric ME |
| 封装/外壳 | DirectFET™ Isometric ME |
| 标准包装 | 4,800 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
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- 标准包装
- 4,800 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥27.835381 | ￥27.84 |
| 10+ | ￥25.010808 | ￥250.11 |
| 100+ | ￥20.48887 | ￥2048.89 |
| 500+ | ￥17.511646 | ￥8755.82 |
| 4800+ | ￥17.511646 | ￥84055.90 |
