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SI3590DV-T1-GE3
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- 制造商编号：
- SI3590DV-T1-GE3
- 制造商：
- Vishay威世
- 系列：
- TrenchFET®
- 描述：
- MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6-TSOP
- 详细描述：
- MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 30V 2.5A，1.7A 830mW 表面贴装型 6-TSOP
- 规格说明书：
- SI3590DV-T1-GE3说明书
- 在线客服：
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- 服务：
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Vishay(威世) |
| 系列 | TrenchFET® |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 和 P 沟道 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源电压（Vdss） | 30V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.5A，1.7A |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 77 毫欧 @ 3A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 4.5nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | - |
| 功率 - 最大值 | 830mW |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 供应商器件封装 | 6-TSOP |
| 标准包装 | 3,000 |
价格库存
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- 0
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- 标准包装
- 3,000 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
单价：￥3.623814 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥9.076506 | ￥9.08 |
| 10+ | ￥7.973648 | ￥79.74 |
| 100+ | ￥6.112219 | ￥611.22 |
| 500+ | ￥4.83176 | ￥2415.88 |
| 1000+ | ￥3.86541 | ￥3865.41 |
| 3000+ | ￥3.623814 | ￥10871.44 |
