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SIR690DP-T1-RE3

Vishay photo

图像仅供参考

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制造商编号:
SIR690DP-T1-RE3
制造商:
Vishay威世
系列:
ThunderFET®
描述:
MOSFET N-CH 200V 34.4A PPAK SO-8
详细描述:
表面贴装型 N 通道 200 V 34.4A(Tc) 104W(Tc) PowerPAK® SO-8
规格说明书:
SIR690DP-T1-RE3说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Vishay(威世)
系列 ThunderFET®
包装 卷带(TR)
零件状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 34.4A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 7.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 35 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 48 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1935 pF @ 100 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 104W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 PowerPAK® SO-8
封装/外壳 PowerPAK® SO-8
标准包装 3,000

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
3,000 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥8.445067 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
6000+ ¥8.445067 ¥50670.40

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