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DMNH6008SCT
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- 制造商编号：
- DMNH6008SCT
- 制造商：
- Diodes美台
- 系列：
- Automotive, AEC-Q101
- 描述：
- MOSFET N-CH 60V 130A TO220AB
- 详细描述：
- 通孔 N 通道 60 V 130A（Tc） 210W（Tc） TO-220-3
- 规格说明书：
- DMNH6008SCT说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Diodes(美台) |
| 系列 | Automotive, AEC-Q101 |
| 包装 | 管件 |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 130A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 8 毫欧 @ 20A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 21 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | 20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2596 pF @ 30 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 210W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-220-3 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 50 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| IXTP90N055T2 | IXYS | ¥20.81000 | 类似 |
| IRL2505PBF | Infineon Technologies | ¥21.50000 | 类似 |
| IRF3205PBF | Infineon Technologies | ¥13.75000 | 类似 |
| IRF60B217 | Infineon Technologies | ¥14.82000 | 类似 |
| IPP093N06N3GXKSA1 | Infineon Technologies | ¥12.90000 | 类似 |
价格库存
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- 0
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- 标准包装
- 50 / PCS
- 包装
- 管件
总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 50+ | ￥12.63854 | ￥631.93 |
