STP11NM65N
![ST photo](https://file.ygchip.com/brands/labels/STMicroelectronics.png)
图像仅供参考
请参阅产品规格
- 制造商编号:
- STP11NM65N
- 制造商:
- ST意法半导体
- 系列:
- MDmesh™ II
- 描述:
- MOSFET N-CH 650V 11A TO-220
- 详细描述:
- 通孔 N 通道 650 V 11A(Tc) 110W(Tc) TO-220
- 规格说明书:
- STP11NM65N说明书
- 在线客服:
- 咨询客服
- 服务:
- 为用户提供价格咨询,发货售后,在线客服。
规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | ST(意法半导体) |
系列 | MDmesh™ II |
包装 | 管件 |
零件状态 | 停产 |
FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 650 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 11A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 455 毫欧 @ 5.5A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 29 nC @ 10 V |
Vgs(最大值) | ±25V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 800 pF @ 50 V |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 110W(Tc) |
工作温度 | 150°C(TJ) |
安装类型 | 通孔 |
供应商器件封装 | TO-220 |
封装/外壳 | TO-220-3 |
标准包装 | 50 |
替代产品
型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
---|---|---|---|
FCP600N60Z | onsemi | ¥14.82000 | 类似 |
IXFP16N60P3 | IXYS | ¥43.01000 | 类似 |
IPP60R380E6XKSA1 | Rochester Electronics, LLC | ¥6.82209 | 类似 |
IXTP8N70X2 | IXYS | ¥32.10000 | 类似 |
IPP65R420CFDXKSA1 | Rochester Electronics, LLC | ¥12.81948 | 类似 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 50 / PCS
- 包装
- 管件
总价:¥0.00
阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
---|---|---|
1+ | ¥21.452165 | ¥21.45 |
10+ | ¥19.29327 | ¥192.93 |
100+ | ¥15.505516 | ¥1550.55 |
500+ | ¥12.739303 | ¥6369.65 |